Effects of positive gate bias stress on radiation response in power VDMOSFETs

Stojadinovic, Ninoslav D; Djoric-Veljkovic, Snezana M; Manic, Ivica Dj; Davidovic, Vojkan S; Golubovic, Snezana M

Резултати

еНаука > Резултати > Effects of positive gate bias stress on radiation response in power VDMOSFETs

Назив:	Effects of positive gate bias stress on radiation response in power VDMOSFETs
Аутори:	Stojadinovic, Ninoslav D; Djoric-Veljkovic, Snezana M; Manic, Ivica Dj; Davidovic, Vojkan S; Golubovic, Snezana M
Година:	2002
Публикација:	2002 23RD INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICROELECTRONICS, VOLS 1 AND 2, PROCEEDINGS
Тип резултата:	Конференцијски рад
Колација:	str. 723-726
WoS-ID:	000176359700152
URI:	https://enauka.gov.rs/handle/123456789/808362
Извор метаподатака:	(Preuzeto iz Nasi u WoS)
М-категорија:	Мп категорија ће бити приказана накнадно.

2
WEB OF SCIENCE^TM

Пронађи DOI

Проналажење DOI у сервису CrossRef-у на основу мета-података у запису. Приказаће се DOI (и метаподаци) чији се подаци највише поклапају. ОПРЕЗ - то не мора бити та публикација.

Google Scholar^TM

Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.