Rezultati

eNauka >  Results >  Effects of positive gate bias stress on radiation response in power VDMOSFETs
Naziv: Effects of positive gate bias stress on radiation response in power VDMOSFETs
Autori: Stojadinovic, Ninoslav D; Djoric-Veljkovic, Snezana M; Manic, Ivica Dj; Davidovic, Vojkan S  ; Golubovic, Snezana M
Godina: 2002
Publikacija: 2002 23RD INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICROELECTRONICS, VOLS 1 AND 2, PROCEEDINGS
Tip rezultata: Konferencijski rad
Kolacija: str. 723-726
WoS-ID: 000176359700152
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/808362
Izvor metapodataka: (Preuzeto iz Nasi u WoS)
M-kategorija: 
Mp kategorija će biti prikazana naknadno.

2
WEB OF SCIENCETM

Pronađi DOI


Google ScholarTM

Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.