Резултати

еНаука >  Резултати >  Effects of burn-in stressing on post-irradiation annealing response of power VDMOSFETs
Назив: Effects of burn-in stressing on post-irradiation annealing response of power VDMOSFETs
Аутори: Đoric-Veljkovic, Snezana M  ; Đoric-Veljkovic, Snezana M; Davidovic, Vojkan S; Golubovic, Snezana M; Stojadinovic, Ninoslav D
Година: 2003
Публикација: Microelectronics Reliability
ISSN: 0026-2714 Microelectronics Reliability Претражи идентификатор
Издавач: United Kingdom : Elsevier BV
Тип резултата: Научни чланак
Колација: vol. 43 br. 9-11 str. 1455-1460
DOI: 10.1016/S0026-2714(03)00258-0
WoS-ID: 000185791500018
Scopus-ID: 2-s2.0-0041692616
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/808414
Извор метаподатака: (Preuzeto iz Nasi u WoS)
М-категорија: 
22M22 - Рад у истакнутом међ. часопису

10
SCOPUSTM
8
OpenCitations
11
WEB OF SCIENCETM
Алт метрика
Dimensions

Пронађи DOI

Unpaywall

Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.