Rezultati

eNauka >  Rezultati >  Effects of burn-in stressing on post-irradiation annealing response of power VDMOSFETs
Naziv: Effects of burn-in stressing on post-irradiation annealing response of power VDMOSFETs
Autori: Đoric-Veljkovic, Snezana M  ; Đoric-Veljkovic, Snezana M; Davidovic, Vojkan S; Golubovic, Snezana M; Stojadinovic, Ninoslav D
Godina: 2003
Publikacija: Microelectronics Reliability
ISSN: 0026-2714 Microelectronics Reliability Pretraži identifikator
Izdavač: United Kingdom : Elsevier BV
Tip rezultata: Naučni članak
Kolacija: vol. 43 br. 9-11 str. 1455-1460
DOI: 10.1016/S0026-2714(03)00258-0
WoS-ID: 000185791500018
Scopus-ID: 2-s2.0-0041692616
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/808414
Izvor metapodataka: (Preuzeto iz Nasi u WoS)
M-kategorija: 
22M22 - Međunarodni časopis kategorije M22

10
SCOPUSTM
8
OpenCitations
12
WEB OF SCIENCETM
Alt metrika
Dimensions
Unpaywall

Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.