Резултати
еНаука >
Резултати >
Defects induced by gamma-ray irradiation and post-irradiation annealing and its influence on the threshold voltage of p-channel power VDMOS transistors
| Назив: | Defects induced by gamma-ray irradiation and post-irradiation annealing and its influence on the threshold voltage of p-channel power VDMOS transistors | Аутори: | Pejovic, Milic M   |
Година: | 2019 | Публикација: | RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS | ISSN: | 1042-0150 Radiation Effects and Defects in Solids Претражи идентификатор |
Тип резултата: | Научни чланак | Колација: | vol. 174 br. 7-8 str. 567-578 | DOI: | 10.1080/10420150.2019.1619735 | WoS-ID: | 000482575200001 | Scopus-ID: | 2-s2.0-85067037162 | URI: | https://enauka.gov.rs/handle/123456789/811645 | Пројекат: | Ministry of Education Science and Technological Development of the Republic of Serbia [171007] | Извор метаподатака: | (Preuzeto iz Nasi u WoS) | М-категорија: | 23M23 - Међународни часопис категорије M23 |
Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.