Rezultati
eNauka >
Rezultati >
Turn-Around of Threshold Voltage in Gate Bias Stressed p-Channel Power Vertical Double-Diffused Metal-Oxide-Semiconductor Transistors
| Naziv: | Turn-Around of Threshold Voltage in Gate Bias Stressed p-Channel Power Vertical Double-Diffused Metal-Oxide-Semiconductor Transistors | Autori: | Davidović, Vojkan   ; Stojadinović, Ninoslav ; Danković, Danijel ; Golubović, Snežana ; Manić, Ivica ; Đorić Veljković, Snežana ; Dimitrijev, Sima |
Godina: | 2008 | Publikacija: | Japanese journal of applied physics | ISSN: | 0021-4922 Japanese Journal of Applied Physics Pretraži identifikator |
Izdavač: | United Kingdom : IOP Publishing | Tip rezultata: | Naučni članak | Kolacija: | vol. 47 br. 8 str. 6272-6276 | DOI: | 10.1143/JJAP.47.6272 | WoS-ID: | 000260003000017 | Scopus-ID: | 2-s2.0-55149087510 | URI: | https://enauka.gov.rs/handle/123456789/814732 | Projekat: | Ministry of Science of the Republic of Serbia | Izvor metapodataka: | (Preuzeto iz Nasi u WoS) | M-kategorija: | 22M22 - Međunarodni časopis kategorije M22 |
Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.