Резултати
еНаука >
Резултати >
Turn-Around of Threshold Voltage in Gate Bias Stressed p-Channel Power Vertical Double-Diffused Metal-Oxide-Semiconductor Transistors
| Назив: | Turn-Around of Threshold Voltage in Gate Bias Stressed p-Channel Power Vertical Double-Diffused Metal-Oxide-Semiconductor Transistors | Аутори: | Davidović, Vojkan   ; Stojadinović, Ninoslav ; Danković, Danijel ; Golubović, Snežana ; Manić, Ivica ; Đorić Veljković, Snežana ; Dimitrijev, Sima |
Година: | 2008 | Публикација: | Japanese journal of applied physics | ISSN: | 0021-4922 Japanese Journal of Applied Physics Претражи идентификатор |
Издавач: | United Kingdom : IOP Publishing | Тип резултата: | Научни чланак | Колација: | vol. 47 br. 8 str. 6272-6276 | DOI: | 10.1143/JJAP.47.6272 | WoS-ID: | 000260003000017 | Scopus-ID: | 2-s2.0-55149087510 | URI: | https://enauka.gov.rs/handle/123456789/814732 | Пројекат: | Ministry of Science of the Republic of Serbia | Извор метаподатака: | (Preuzeto iz Nasi u WoS) | М-категорија: | 22M22 - Међународни часопис категорије M22 |
Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.