Резултати

еНаука >  Резултати >  New experimental evidence of latent interface-trap buildup in power VDMOSFETs
Назив: New experimental evidence of latent interface-trap buildup in power VDMOSFETs
Аутори: Jaksic, Aleksandar B; Ristic, Goran S  ; Pejovic, Momcilo M
Година: 2000
Публикација: IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE
ISSN: 0018-9499 IEEE Transactions on Nuclear Science Претражи идентификатор
Тип резултата: Научни чланак
Колација: vol. 47 br. 3 str. 580-586
DOI: 10.1109/23.856483
WoS-ID: 000088378200018
Scopus-ID: 2-s2.0-0034205118
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/817730
Извор метаподатака: (Preuzeto iz Nasi u WoS)
М-категорија: 
21aM21a - Водећи међународни часопис категорије M21a

Алт метрика
Dimensions
Unpaywall

Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.