Results

eNauka >  Rezultati >  New experimental evidence of latent interface-trap buildup in power VDMOSFETs
Naziv: New experimental evidence of latent interface-trap buildup in power VDMOSFETs
Autori: Jaksic, Aleksandar B; Ristic, Goran S  ; Pejovic, Momcilo M
Godina: 2000
Publikacija: IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE
ISSN: 0018-9499 IEEE Transactions on Nuclear Science Pretraži identifikator
Tip rezultata: Naučni članak
Kolacija: vol. 47 br. 3 str. 580-586
DOI: 10.1109/23.856483
WoS-ID: 000088378200018
Scopus-ID: 2-s2.0-0034205118
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/817730
Izvor metapodataka: (Preuzeto iz Nasi u WoS)
M-kategorija: 
21aM21a - Vodeći međunarodni časopis kategorije M21a

8
SCOPUSTM
7
OpenCitations
9
WEB OF SCIENCETM
Altmetric
Dimensions
Unpaywall

Items in eNauka are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.