Results
| Naziv: | New experimental evidence of latent interface-trap buildup in power VDMOSFETs | Autori: | Jaksic, Aleksandar B; Ristic, Goran S |
Godina: | 2000 | Publikacija: | IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE | ISSN: | 0018-9499 IEEE Transactions on Nuclear Science Pretraži identifikator |
Tip rezultata: | Naučni članak | Kolacija: | vol. 47 br. 3 str. 580-586 | DOI: | 10.1109/23.856483 | WoS-ID: | 000088378200018 | Scopus-ID: | 2-s2.0-0034205118 | URI: | https://enauka.gov.rs/handle/123456789/817730 | Izvor metapodataka: | (Preuzeto iz Nasi u WoS) | M-kategorija: | 21aM21a - Vodeći međunarodni časopis kategorije M21a |
Items in eNauka are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.