Резултати
еНаука >
Резултати >
Photosensitive in-plane junction in graphene field effect transistor modified under femtoseconds laser irradiation
| Назив: | Photosensitive in-plane junction in graphene field effect transistor modified under femtoseconds laser irradiation | Аутори: | Bobrinetskiy, Ivan I   ; Emelianov, Aleksei V; Kireev, Dmitry; Otero, Nerea; Romero, Pablo M |
Година: | 2018 | Публикација: | NANOPHOTONICS VII | ISSN: | 0277-786X  Претражи идентификатор |
Тип резултата: | Конференцијски рад | Колација: | vol. 10672 | DOI: | 10.1117/12.2306585 | WoS-ID: | 000453298500004 | Scopus-ID: | 2-s2.0-85049916648 | URI: | https://enauka.gov.rs/handle/123456789/818779 | Пројекат: | Russian Science Foundation [14-19-01308] | Извор метаподатака: | (Preuzeto iz Nasi u WoS) | М-категорија: | Мп категорија ће бити приказана накнадно. |
Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.