Резултати

eNauka >  Results >  Photosensitive in-plane junction in graphene field effect transistor modified under femtoseconds laser irradiation
Title: Photosensitive in-plane junction in graphene field effect transistor modified under femtoseconds laser irradiation
Authors: Bobrinetskiy, Ivan I  ; Emelianov, Aleksei V; Kireev, Dmitry; Otero, Nerea; Romero, Pablo M
Issue Date: 2018
Publication: NANOPHOTONICS VII
ISSN: 0277-786X Search Idenfier
Type: Conference Paper
Collation: vol. 10672
DOI: 10.1117/12.2306585
WoS-ID: 000453298500004
Scopus-ID: 2-s2.0-85049916648
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/818779
Project: Russian Science Foundation [14-19-01308]
Metadata source: (Preuzeto iz Nasi u WoS)
M-category: 
Mp. category will be shown later

Алт метрика
Dimensions
Unpaywall

Google ScholarTM

Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.