Резултати
eNauka >
Rezultati >
Photosensitive in-plane junction in graphene field effect transistor modified under femtoseconds laser irradiation
| Naziv: | Photosensitive in-plane junction in graphene field effect transistor modified under femtoseconds laser irradiation | Autori: | Bobrinetskiy, Ivan I   ; Emelianov, Aleksei V; Kireev, Dmitry; Otero, Nerea; Romero, Pablo M |
Godina: | 2018 | Publikacija: | NANOPHOTONICS VII | ISSN: | 0277-786X  Pretraži identifikator |
Tip rezultata: | Konferencijski rad | Kolacija: | vol. 10672 | DOI: | 10.1117/12.2306585 | WoS-ID: | 000453298500004 | Scopus-ID: | 2-s2.0-85049916648 | URI: | https://enauka.gov.rs/handle/123456789/818779 | Projekat: | Russian Science Foundation [14-19-01308] | Izvor metapodataka: | (Preuzeto iz Nasi u WoS) | M-kategorija: | Mp kategorija će biti prikazana naknadno. |
Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.