Rezultati

eNauka >  Rezultati >  Effects of elevated-temperature bias stressing on radiation response in power VDMOSFETs
Naziv: Effects of elevated-temperature bias stressing on radiation response in power VDMOSFETs
Autori: Stojadinovic, Ninoslav D; Djoric-Veljkovic, Snezana M; Manic, Ivica Dj; Davidovic, Vojkan S  ; Golubovic, Snezana M
Godina: 2001
Publikacija: PROCEEDINGS OF THE 2001 8TH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON THE PHYSICAL & FAILURE ANALYSIS OF INTEGRATED CIRCUITS
Tip rezultata: Konferencijski rad
Kolacija: str. 243-248
DOI: 10.1109/IPFA.2001.941495
WoS-ID: 000171369600045
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/821945
Izvor metapodataka: (Preuzeto iz Nasi u WoS)
M-kategorija: 
Mp kategorija će biti prikazana naknadno.

2
WEB OF SCIENCETM
Alt metrika
Dimensions
Unpaywall

Google ScholarTM

Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.