Резултати

еНаука >  Резултати >  Mechanisms of positive gate bias stress induced instabilities in power VDMOSFETs
Назив: Mechanisms of positive gate bias stress induced instabilities in power VDMOSFETs
Аутори: Stojadinovic, Ninoslav D; Manic, Ivica Dj  ; Đoric-Veljkovic, Snezana M  ; Davidovic, Vojkan S  ; Golubovic, Snezana M; Dimitrijev, Sima
Година: 2001
Публикација: Microelectronics Reliability
ISSN: 0026-2714 Microelectronics Reliability Претражи идентификатор
Тип резултата: Научни чланак
Колација: vol. 41 br. 9-10 str. 1373-1378
DOI: 10.1016/S0026-2714(01)00143-3
WoS-ID: 000171384900018
Scopus-ID: 2-s2.0-0035456703
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/822184
Извор метаподатака: (Preuzeto iz Nasi u WoS)
М-категорија: 
22M22 - Рад у истакнутом међ. часопису

36
SCOPUSTM
31
OpenCitations
34
WEB OF SCIENCETM
Алт метрика
Dimensions

Пронађи DOI
Unpaywall

Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.