Rezultati

eNauka >  Rezultati >  Mechanisms of positive gate bias stress induced instabilities in power VDMOSFETs
Naziv: Mechanisms of positive gate bias stress induced instabilities in power VDMOSFETs
Autori: Stojadinovic, Ninoslav D; Manic, Ivica Dj  ; Đoric-Veljkovic, Snezana M  ; Davidovic, Vojkan S  ; Golubovic, Snezana M; Dimitrijev, Sima
Godina: 2001
Publikacija: Microelectronics Reliability
ISSN: 0026-2714 Microelectronics Reliability Pretraži identifikator
Tip rezultata: Naučni članak
Kolacija: vol. 41 br. 9-10 str. 1373-1378
DOI: 10.1016/S0026-2714(01)00143-3
WoS-ID: 000171384900018
Scopus-ID: 2-s2.0-0035456703
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/822184
Izvor metapodataka: (Preuzeto iz Nasi u WoS)
M-kategorija: 
22M22 - Međunarodni časopis kategorije M22

39
SCOPUSTM
31
OpenCitations
35
WEB OF SCIENCETM
Alt metrika
Dimensions
Unpaywall

Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.