Резултати

еНаука >  Резултати >  Analysis of postirradiation annealing of n-channel power vertical double-diffused metal-oxide-semiconductor transistors
Назив: Analysis of postirradiation annealing of n-channel power vertical double-diffused metal-oxide-semiconductor transistors
Аутори: Ristic, Goran S  ; Pejovic, Momcilo M; Jaksic, Aleksandar B
Година: 2000
Публикација: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
ISSN: 0021-8979 Journal of Applied Physics Претражи идентификатор
Тип резултата: Научни чланак
Колација: vol. 87 br. 7 str. 3468-3477
DOI: 10.1063/1.372368
WoS-ID: 000085878100046
Scopus-ID: 2-s2.0-0041466223
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/825483
Извор метаподатака: (Preuzeto iz Nasi u WoS)
М-категорија: 
21aM21a - Рад у међ. часопису изузетних вредности

26
SCOPUSTM
25
OpenCitations
24
WEB OF SCIENCETM
Алт метрика
Dimensions

Пронађи DOI
Unpaywall

Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.