Резултати

еНаука >  Резултати >  Defect behaviors in n-channel power VDMOSFETs during HEFS and thermal post-HEFS annealing
Назив: Defect behaviors in n-channel power VDMOSFETs during HEFS and thermal post-HEFS annealing
Аутори: Ristic, Goran S  ; Pejovic, Momcilo M; Jaksic, Aleksandar B
Година: 2006
Публикација: APPLIED SURFACE SCIENCE
ISSN: 0169-4332 Applied Surface Science Претражи идентификатор
Тип резултата: Научни чланак
Колација: vol. 252 br. 8 str. 3023-3032
DOI: 10.1016/j.apsusc.2005.05.005
WoS-ID: 000235721800045
Scopus-ID: 2-s2.0-31144459484
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/827675
Извор метаподатака: (Preuzeto iz Nasi u WoS)
М-категорија: 
21M21 - Водећи међународни часопис категорије M21

11
SCOPUSTM
12
OpenCitations
11
WEB OF SCIENCETM
Алт метрика
Dimensions
Unpaywall

Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.