Rezultati

eNauka >  Rezultati >  Defect behaviors in n-channel power VDMOSFETs during HEFS and thermal post-HEFS annealing
Naziv: Defect behaviors in n-channel power VDMOSFETs during HEFS and thermal post-HEFS annealing
Autori: Ristic, Goran S  ; Pejovic, Momcilo M; Jaksic, Aleksandar B
Godina: 2006
Publikacija: APPLIED SURFACE SCIENCE
ISSN: 0169-4332 Applied Surface Science Pretraži identifikator
Tip rezultata: Naučni članak
Kolacija: vol. 252 br. 8 str. 3023-3032
DOI: 10.1016/j.apsusc.2005.05.005
WoS-ID: 000235721800045
Scopus-ID: 2-s2.0-31144459484
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/827675
Izvor metapodataka: (Preuzeto iz Nasi u WoS)
M-kategorija: 
21M21 - Vodeći međunarodni časopis kategorije M21

11
SCOPUSTM
12
OpenCitations
11
WEB OF SCIENCETM
Alt metrika
Dimensions
Unpaywall

Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.