Резултати

eNauka >  Rezultati >  Effects of burn-in stressing on radiation response of power VDMOSFETs
Naziv: Effects of burn-in stressing on radiation response of power VDMOSFETs
Autori: Stojadinovic, Ninoslav D; Đoric-Veljkovic, Snezana M  ; Manic, Ivica Dj; Davidovic, Vojkan S  ; Golubovic, Snezana M
Godina: 2002
Publikacija: Microelectronics journal
ISSN: 0026-2692 Microelectronics Journal Pretraži identifikator
Izdavač: United Kingdom : Elsevier BV
Tip rezultata: Naučni članak
Kolacija: vol. 33 br. 11 str. 899-905
DOI: 10.1016/S0026-2692(02)00121-0
WoS-ID: 000179487900005
Scopus-ID: 2-s2.0-0036857943
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/830982
Izvor metapodataka: (Preuzeto iz Nasi u WoS)
M-kategorija: 
22M22 - Međunarodni časopis kategorije M22

Алт метрика
Dimensions
Unpaywall

Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.