Electronic structure of ytterbium-implanted GaN at ambient and high pressure: Experimental and crystal field studies

Kaminska, A.; Ma, C.-G.; Brik, M.G.; Kozanecki, A.; Boćkowski, M.; Alves, E.; Suchocki, A.

Резултати

еНаука > Резултати > Electronic structure of ytterbium-implanted GaN at ambient and high pressure: Experimental and crystal field studies

Назив:	Electronic structure of ytterbium-implanted GaN at ambient and high pressure: Experimental and crystal field studies
Аутори:	Kaminska, A.; Ma, C.-G.; Brik, M.G. ; Kozanecki, A.; Boćkowski, M.; Alves, E.; Suchocki, A.
Година:	2012
Публикација:	Journal of Physics Condensed Matter
ISSN:	0953-8984 Journal of Physics: Condensed Matter Претражи идентификатор
Тип резултата:	Научни чланак
Колација:	vol. 24 br. 9 str. 095803-095803
DOI:	10.1088/0953-8984/24/9/095803
WoS-ID:	000300641000024
Scopus-ID:	2-s2.0-84857242858
URI:	https://enauka.gov.rs/handle/123456789/849987
URL:	http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-84857242858&partnerID=MN8TOARS
Извор метаподатака:	(Preuzeto iz ORCID-a) Brik, Mikhail
М-категорија:	21M21 - Рад у врхунском међ. часопису

4
SCOPUS^TM

3
WEB OF SCIENCE^TM

Алт метрика

Dimensions

Пронађи DOI

Проналажење DOI у сервису CrossRef-у на основу мета-података у запису. Приказаће се DOI (и метаподаци) чији се подаци највише поклапају. ОПРЕЗ - то не мора бити та публикација.

Unpaywall

Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.