Rezultati

eNauka >  Rezultati >  Electronic structure of ytterbium-implanted GaN at ambient and high pressure: Experimental and crystal field studies
Naziv: Electronic structure of ytterbium-implanted GaN at ambient and high pressure: Experimental and crystal field studies
Autori: Kaminska, A.; Ma, C.-G.; Brik, M.G.  ; Kozanecki, A.; Boćkowski, M.; Alves, E.; Suchocki, A.
Godina: 2012
Publikacija: Journal of Physics Condensed Matter
ISSN: 0953-8984 Journal of Physics: Condensed Matter Pretraži identifikator
Tip rezultata: Naučni članak
Kolacija: vol. 24 br. 9 str. 095803-095803
DOI: 10.1088/0953-8984/24/9/095803
WoS-ID: 000300641000024
Scopus-ID: 2-s2.0-84857242858
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/849987
URL: http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-84857242858&partnerID=MN8TOARS
Izvor metapodataka: (Preuzeto iz ORCID-a) Brik, Mikhail
M-kategorija: 
21M21 - Vodeći međunarodni časopis kategorije M21

4
SCOPUSTM
1
OpenCitations
3
WEB OF SCIENCETM
Alt metrika
Dimensions
Unpaywall

Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.