Резултати
еНаука >
Резултати >
Electronic structure of InyGa1-xNx/GaAs multiple quantum wells in the dilute-N regime from pressure and k·p studies
![](https://cdn3.iconfinder.com/data/icons/flat-actions-icons-9/512/Tick_Mark-256.png)
Назив: | Electronic structure of InyGa1-xNx/GaAs multiple quantum wells in the dilute-N regime from pressure and k·p studies | Аутори: | Choulis, S.A.; Hosea, T.J.C.; Tomić, Stanko ![]() ![]() |
Година: | 2002 | Публикација: | Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics | ISSN: | 0163-1829![]() ![]() |
Тип резултата: | Научни чланак | Колација: | vol. 66 br. 16 str. 1653211-1653219 | Scopus-ID: | 2-s2.0-0037110014 | URI: | https://enauka.gov.rs/handle/123456789/852526 | Извор метаподатака: | (Preuzeto iz ORCID-a) Tomić, Stanko | М-категорија: | 21aM21a - Рад у међ. часопису изузетних вредности |
![](/image/scopus.png)
SCOPUSTM
Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.