Резултати

еНаука >  Резултати >  Electronic structure of InyGa1-xNx/GaAs multiple quantum wells in the dilute-N regime from pressure and k·p studies
Назив: Electronic structure of InyGa1-xNx/GaAs multiple quantum wells in the dilute-N regime from pressure and k·p studies
Аутори: Choulis, S.A.; Hosea, T.J.C.; Tomić, Stanko  ; Kamal-Saadi, M.; Adams, A.R.; O'Reilly, E.P.; Weinstein, B.A.; Klar, P.J.
Година: 2002
Публикација: Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics
ISSN: 0163-1829 Physical Review. Ser B: Condensed Matter Претражи идентификатор
Тип резултата: Научни чланак
Колација: vol. 66 br. 16 str. 1653211-1653219
Scopus-ID: 2-s2.0-0037110014
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/852526
Извор метаподатака: (Preuzeto iz ORCID-a) Tomić, Stanko
М-категорија: 
21aM21a - Рад у међ. часопису изузетних вредности

76
SCOPUSTM

Пронађи DOI


Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.