Rezultati

eNauka >  Rezultati >  Electronic structure of InyGa1-xNx/GaAs multiple quantum wells in the dilute-N regime from pressure and k·p studies
Naziv: Electronic structure of InyGa1-xNx/GaAs multiple quantum wells in the dilute-N regime from pressure and k·p studies
Autori: Choulis, S.A.; Hosea, T.J.C.; Tomić, Stanko  ; Kamal-Saadi, M.; Adams, A.R.; O'Reilly, E.P.; Weinstein, B.A.; Klar, P.J.
Godina: 2002
Publikacija: Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics
ISSN: 0163-1829 Physical Review. Ser B: Condensed Matter Pretraži identifikator
Tip rezultata: Naučni članak
Kolacija: vol. 66 br. 16 str. 1653211-1653219
Scopus-ID: 2-s2.0-0037110014
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/852526
Izvor metapodataka: (Preuzeto iz ORCID-a) Tomić, Stanko
M-kategorija: 
21aM21a - Vodeći međunarodni časopis kategorije M21a

74
SCOPUSTM

Pronađi DOI

Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.