Rezultati
eNauka >
Rezultati >
Electronic structure of InyGa1-xNx/GaAs multiple quantum wells in the dilute-N regime from pressure and k·p studies
![](https://cdn3.iconfinder.com/data/icons/flat-actions-icons-9/512/Tick_Mark-256.png)
Naziv: | Electronic structure of InyGa1-xNx/GaAs multiple quantum wells in the dilute-N regime from pressure and k·p studies | Autori: | Choulis, S.A.; Hosea, T.J.C.; Tomić, Stanko ![]() ![]() |
Godina: | 2002 | Publikacija: | Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics | ISSN: | 0163-1829![]() ![]() |
Tip rezultata: | Naučni članak | Kolacija: | vol. 66 br. 16 str. 1653211-1653219 | Scopus-ID: | 2-s2.0-0037110014 | URI: | https://enauka.gov.rs/handle/123456789/852526 | Izvor metapodataka: | (Preuzeto iz ORCID-a) Tomić, Stanko | M-kategorija: | 21aM21a - Rad u međ. časopisu izuzetnih vrednosti |
![](/image/scopus.png)
SCOPUSTM
Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.