Rezultati
eNauka >
Rezultati >
Electronic structure of InyGa1-xNx/GaAs multiple quantum wells in the dilute-N regime from pressure and k·p studies
| Naziv: | Electronic structure of InyGa1-xNx/GaAs multiple quantum wells in the dilute-N regime from pressure and k·p studies | Autori: | Choulis, S.A.; Hosea, T.J.C.; Tomić, Stanko   ; Kamal-Saadi, M.; Adams, A.R.; O'Reilly, E.P.; Weinstein, B.A.; Klar, P.J. |
Godina: | 2002 | Publikacija: | Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics | ISSN: | 0163-1829 Physical Review. Ser B: Condensed Matter Pretraži identifikator |
Tip rezultata: | Naučni članak | Kolacija: | vol. 66 br. 16 str. 1653211-1653219 | Scopus-ID: | 2-s2.0-0037110014 | URI: | https://enauka.gov.rs/handle/123456789/852526 | Izvor metapodataka: | (Preuzeto iz ORCID-a) Tomić, Stanko | M-kategorija: | 21aM21a - Rad u međ. časopisu izuzetnih vrednosti |
76
SCOPUSTM
Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.