Rezultati
eNauka >
Rezultati >
Analysis of gamma-irradiation induced degradation mechanisms in power VDMOSFETS
| Naziv: | Analysis of gamma-irradiation induced degradation mechanisms in power VDMOSFETS | Autori: | Stojadinović, N.; Golubović, S.; Đorić, S.   ; Dimitrijev, S. |
Godina: | 1995 | Publikacija: | Microelectronics Reliability | ISSN: | 00262714 Microelectronics Reliability Pretraži identifikator |
Izdavač: | United Kingdom : Elsevier BV | Tip rezultata: | Naučni članak | Kolacija: | vol. 35 br. 3 str. 587-602 | DOI: | 10.1016/0026-2714(95)93077-N | Scopus-ID: | 2-s2.0-0029270861 | URI: | https://enauka.gov.rs/handle/123456789/875737 | Izvor metapodataka: | (Preuzeto iz CrossRef-a) Đorić-Veljković, Snežana | M-kategorija: | Mp kategorija će biti prikazana naknadno. |
Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.