Rezultati
eNauka >
Rezultati >
Effects of positive gate bias stressing and subsequent recovery treatment in power VDMOSFETs
| Naziv: | Effects of positive gate bias stressing and subsequent recovery treatment in power VDMOSFETs | Autori: | Stojadinovic, N.; Manic, I.; Đoric-Veljkovic, S.   ; Davidovic, V.; Golubovic, S.; Dimitrijev, S. |
Godina: | 2002 | Publikacija: | Proceedings of the Fourth IEEE International Caracas Conference on Devices, Circuits and Systems (Cat. No.02TH8611) | Izdavač: | Oranjestad, Netherlands : IEEE | Tip rezultata: | Konferencijski rad | ISBN: | 0-7803-7380-4  Pretraži identifikator |
Kolacija: | str. D050-1-D050-8 | DOI: | 10.1109/ICCDCS.2002.1004073 | Scopus-ID: | 2-s2.0-84900315641 | URI: | https://enauka.gov.rs/handle/123456789/875779 | Izvor metapodataka: | (Preuzeto iz CrossRef-a) Đorić-Veljković, Snežana | M-kategorija: | Mp kategorija će biti prikazana naknadno. |
Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.