Резултати
еНаука >
Резултати >
Effects of positive gate bias stressing and subsequent recovery treatment in power VDMOSFETs
| Назив: | Effects of positive gate bias stressing and subsequent recovery treatment in power VDMOSFETs | Аутори: | Stojadinovic, N.; Manic, I.; Đoric-Veljkovic, S.   ; Davidovic, V.; Golubovic, S.; Dimitrijev, S. |
Година: | 2002 | Публикација: | Proceedings of the Fourth IEEE International Caracas Conference on Devices, Circuits and Systems (Cat. No.02TH8611) | Издавач: | Oranjestad, Netherlands : IEEE | Тип резултата: | Конференцијски рад | ISBN: | 0-7803-7380-4  Претражи идентификатор |
Колација: | str. D050-1-D050-8 | DOI: | 10.1109/ICCDCS.2002.1004073 | Scopus-ID: | 2-s2.0-84900315641 | URI: | https://enauka.gov.rs/handle/123456789/875779 | Извор метаподатака: | (Preuzeto iz CrossRef-a) Đorić-Veljković, Snežana | М-категорија: | Мп категорија ће бити приказана накнадно. |
Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.