Rezultati

eNauka >  Rezultati >  Modeling of radiation-induced mobility degradation in MOSFETs
Naziv: Modeling of radiation-induced mobility degradation in MOSFETs
Autori: Stojadinovic, N.; Golubovic, S.; Davidovic, V.; Đoric-Veljkovic, S.  ; Dimitrijev, S.
Godina: 1997
Publikacija: Proceedings of the International Conference on Microelectronics
Izdavač: [New York] : Institute of Electrical and Electronics Engineers, Electron Devices Society
Tip rezultata: Konferencijski rad
Kolacija: vol. 1 str. 355-356
Scopus-ID: 2-s2.0-0031363287
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/875784
URL: http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-0031363287&partnerID=MN8TOARS
Izvor metapodataka: (Preuzeto iz ORCID-a) Đorić-Veljković, Snežana
M-kategorija: 
Mp kategorija će biti prikazana naknadno.

3
SCOPUSTM

Pronađi DOI


Google ScholarTM

Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.