Rezultati
| Naziv: | Modeling of radiation-induced mobility degradation in MOSFETs | Autori: | Stojadinovic, N.; Golubovic, S.; Davidovic, V.; Đoric-Veljkovic, S. |
Godina: | 1997 | Publikacija: | Proceedings of the International Conference on Microelectronics | Izdavač: | [New York] : Institute of Electrical and Electronics Engineers, Electron Devices Society | Tip rezultata: | Konferencijski rad | Kolacija: | vol. 1 str. 355-356 | Scopus-ID: | 2-s2.0-0031363287 | URI: | https://enauka.gov.rs/handle/123456789/875784 | URL: | http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-0031363287&partnerID=MN8TOARS | Izvor metapodataka: | (Preuzeto iz ORCID-a) Đorić-Veljković, Snežana | M-kategorija: | Mp kategorija će biti prikazana naknadno. |
Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.