Резултати

еНаука >  Резултати >  Modeling of radiation-induced mobility degradation in MOSFETs
Назив: Modeling of radiation-induced mobility degradation in MOSFETs
Аутори: Stojadinovic, N.; Golubovic, S.; Davidovic, V.; Đoric-Veljkovic, S.  ; Dimitrijev, S.
Година: 1997
Публикација: Proceedings of the International Conference on Microelectronics
Издавач: [New York] : Institute of Electrical and Electronics Engineers, Electron Devices Society
Тип резултата: Конференцијски рад
Колација: vol. 1 str. 355-356
Scopus-ID: 2-s2.0-0031363287
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/875784
URL: http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-0031363287&partnerID=MN8TOARS
Извор метаподатака: (Preuzeto iz ORCID-a) Đorić-Veljković, Snežana
М-категорија: 
Мп категорија ће бити приказана накнадно.

3
SCOPUSTM

Пронађи DOI


Google ScholarTM

Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.