Резултати

еНаука >  Резултати >  Analysis of gamma-irradiation induced oxide charge and interface trap effects in power VDMOSFETs
Назив: Analysis of gamma-irradiation induced oxide charge and interface trap effects in power VDMOSFETs
Аутори: Đoric-Veljkovic, S.  ; Davidovic, V.
Година: 1995
Публикација: Proceedings of the International Conference on Microelectronics
Издавач: Niš : IEEE
Тип резултата: Конференцијски рад
ISBN: 0-7803-2786-1 Претражи идентификатор
Колација: vol. 1 str. 259-262
DOI: 10.1109/ICMEL.1995.500876
Scopus-ID: 2-s2.0-0029492179
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/875794
URL: http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-0029492179&partnerID=MN8TOARS
Извор метаподатака: (Preuzeto iz ORCID-a) Đorić-Veljković, Snežana
М-категорија: 
Мп категорија ће бити приказана накнадно.

3
SCOPUSTM
1
OpenCitations
Алт метрика
Dimensions
Unpaywall

Google ScholarTM

Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.