Rezultati
eNauka >
Rezultati >
Analysis of gamma-irradiation induced oxide charge and interface trap effects in power VDMOSFETs
| Naziv: | Analysis of gamma-irradiation induced oxide charge and interface trap effects in power VDMOSFETs | Autori: | Đoric-Veljkovic, S.   ; Davidovic, V. |
Godina: | 1995 | Publikacija: | Proceedings of the International Conference on Microelectronics | Izdavač: | Niš : IEEE | Tip rezultata: | Konferencijski rad | ISBN: | 0-7803-2786-1  Pretraži identifikator |
Kolacija: | vol. 1 str. 259-262 | DOI: | 10.1109/ICMEL.1995.500876 | Scopus-ID: | 2-s2.0-0029492179 | URI: | https://enauka.gov.rs/handle/123456789/875794 | URL: | http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-0029492179&partnerID=MN8TOARS | Izvor metapodataka: | (Preuzeto iz ORCID-a) Đorić-Veljković, Snežana | M-kategorija: | Mp kategorija će biti prikazana naknadno. |
Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.