Резултати

еНаука >  Резултати >  Charge-pumping characterization of SiO/sub 2//Si interface in virgin and irradiated power VDMOSFETs
Назив: Charge-pumping characterization of SiO/sub 2//Si interface in virgin and irradiated power VDMOSFETs
Аутори: Habaš, Predrag ; Prijić, Zoran  ; Pantić, Dragan  ; Stojadinović, Ninoslav 
Година: 1996
Публикација: IEEE Transactions on Electron Devices
ISSN: 0018-9383 IEEE Transactions on Electron Devices Претражи идентификатор
Издавач: Institute of Electrical and Electronics Engineers ({IEEE})
Тип резултата: Научни чланак
Колација: vol. 43 br. 12 str. 2197-2209
DOI: 10.1109/16.544392
WoS-ID: A1996VU87900021
Scopus-ID: 2-s2.0-0030399292
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/878635
Извор метаподатака: (Preuzeto iz ORCID-a) Pantić, Dragan
М-категорија: 
Мп категорија ће бити приказана накнадно.

50
SCOPUSTM
47
WEB OF SCIENCETM
Алт метрика
Dimensions

Пронађи DOI
Unpaywall

Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.