Rezultati

eNauka >  Rezultati >  Charge-pumping characterization of SiO/sub 2//Si interface in virgin and irradiated power VDMOSFETs
Naziv: Charge-pumping characterization of SiO/sub 2//Si interface in virgin and irradiated power VDMOSFETs
Autori: Habaš, Predrag ; Prijić, Zoran  ; Pantić, Dragan  ; Stojadinović, Ninoslav 
Godina: 1996
Publikacija: IEEE Transactions on Electron Devices
ISSN: 0018-9383 IEEE Transactions on Electron Devices Pretraži identifikator
Izdavač: Institute of Electrical and Electronics Engineers ({IEEE})
Tip rezultata: Naučni članak
Kolacija: vol. 43 br. 12 str. 2197-2209
DOI: 10.1109/16.544392
WoS-ID: A1996VU87900021
Scopus-ID: 2-s2.0-0030399292
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/878635
Izvor metapodataka: (Preuzeto iz ORCID-a) Pantić, Dragan
M-kategorija: 
Mp kategorija će biti prikazana naknadno.

52
SCOPUSTM
51
OpenCitations
48
WEB OF SCIENCETM
Alt metrika
Dimensions

Pronađi DOI
Unpaywall

Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.