Резултати

еНаука >  Резултати >  Temperature-induced rebound in Al-gate NMOS transistors
Назив: Temperature-induced rebound in Al-gate NMOS transistors
Аутори: Pejović, Momčilo ; Golubović, Snežana ; Ristić, Goran  
Година: 1995
Публикација: IEE Proceedings: Circuits, Devices and Systems
ISSN: 1350-2409 IEE Proceedings: Circuits Devices and Systems Претражи идентификатор
Тип резултата: Научни чланак
ISBN: 1359-7000 ИСБН није валидан Претражи идентификатор
Колација: vol. 142 br. 6 str. 413-413
DOI: 10.1049/ip-cds:19952085
Scopus-ID: 2-s2.0-0029487355
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/881625
Извор метаподатака: (Preuzeto iz ORCID-a) Ristić, Goran
М-категорија: 
Мп категорија ће бити приказана накнадно.

1
SCOPUSTM
Алт метрика
Dimensions
Unpaywall

Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.