Rezultati

eNauka >  Rezultati >  Temperature-induced rebound in Al-gate NMOS transistors
Naziv: Temperature-induced rebound in Al-gate NMOS transistors
Autori: Pejović, Momčilo ; Golubović, Snežana ; Ristić, Goran  
Godina: 1995
Publikacija: IEE Proceedings: Circuits, Devices and Systems
ISSN: 1350-2409 IEE Proceedings: Circuits Devices and Systems Pretraži identifikator
Tip rezultata: Naučni članak
ISBN: 1359-7000 ИСБН није валидан Pretraži identifikator
Kolacija: vol. 142 br. 6 str. 413-413
DOI: 10.1049/ip-cds:19952085
Scopus-ID: 2-s2.0-0029487355
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/881625
Izvor metapodataka: (Preuzeto iz ORCID-a) Ristić, Goran
M-kategorija: 
Mp kategorija će biti prikazana naknadno.

1
SCOPUSTM
Alt metrika
Dimensions
Unpaywall

Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.