Резултати
еНаука >
Резултати >
Numerical simulation of creation-passivation kinetics of interface traps in irradiated n-channel power VDMOSFETs during thermal annealing with various gate biases
| Назив: | Numerical simulation of creation-passivation kinetics of interface traps in irradiated n-channel power VDMOSFETs during thermal annealing with various gate biases | Аутори: | Ristić, Goran   ; Pejović, Momčilo ; Jakšić, Aleksandar |
Година: | 1998 | Публикација: | Microelectronic Engineering | ISSN: | 0167-9317 Microelectronic Engineering Претражи идентификатор |
Тип резултата: | Научни чланак | Колација: | vol. 40 br. 2 str. 51-60 | DOI: | 10.1016/s0167-9317(97)00193-7 | WoS-ID: | 000075115300001 | Scopus-ID: | 2-s2.0-0032115057 | URI: | https://enauka.gov.rs/handle/123456789/881627 | Извор метаподатака: | (Preuzeto iz ORCID-a) Ristić, Goran | М-категорија: | 21M21 - Водећи међународни часопис категорије M21 |
Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.