Rezultati

eNauka >  Rezultati >  Numerical simulation of creation-passivation kinetics of interface traps in irradiated n-channel power VDMOSFETs during thermal annealing with various gate biases
Naziv: Numerical simulation of creation-passivation kinetics of interface traps in irradiated n-channel power VDMOSFETs during thermal annealing with various gate biases
Autori: Ristić, Goran ; Pejović, Momčilo ; Jakšić, Aleksandar
Godina: 1998
Publikacija: Microelectronic Engineering
ISSN: 0167-9317 Microelectronic Engineering Pretraži identifikator
Tip rezultata: Naučni članak
Kolacija: vol. 40 br. 2 str. 51-60
DOI: 10.1016/s0167-9317(97)00193-7
WoS-ID: 000075115300001
Scopus-ID: 2-s2.0-0032115057
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/881627
Izvor metapodataka: (Preuzeto iz ORCID-a) Ristić, Goran
M-kategorija: 
21M21 - Vodeći međunarodni časopis kategorije M21

5
SCOPUSTM
6
WEB OF SCIENCETM
Alt metrika
Dimensions
Unpaywall

Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.