Rezultati

eNauka >  Rezultati >  The behaviour of radiation-induced gate-oxide defects in MOSFETs during annealing at 140°C
Naziv: The behaviour of radiation-induced gate-oxide defects in MOSFETs during annealing at 140°C
Autori: Pejović, Momčilo ; Jakšić, Aleksandar; Ristić, Goran  
Godina: 1998
Publikacija: Journal of Non-Crystalline Solids
ISSN: 0022-3093 Journal of Non-crystalline Solids Pretraži identifikator
Tip rezultata: Naučni članak
Kolacija: vol. 240 br. 1-3 str. 182-192
DOI: 10.1016/S0022-3093(98)00718-2
WoS-ID: 000076724000019
Scopus-ID: 2-s2.0-0032475606
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/881630
Izvor metapodataka: (Preuzeto iz ORCID-a) Ristić, Goran
M-kategorija: 
21aM21a - Vodeći međunarodni časopis kategorije M21a

12
SCOPUSTM
13
WEB OF SCIENCETM
Alt metrika
Dimensions
Unpaywall

Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.