Резултати

еНаука >  Резултати >  The behaviour of radiation-induced gate-oxide defects in MOSFETs during annealing at 140°C
Назив: The behaviour of radiation-induced gate-oxide defects in MOSFETs during annealing at 140°C
Аутори: Pejović, Momčilo ; Jakšić, Aleksandar; Ristić, Goran  
Година: 1998
Публикација: Journal of Non-Crystalline Solids
ISSN: 0022-3093 Journal of Non-crystalline Solids Претражи идентификатор
Тип резултата: Научни чланак
Колација: vol. 240 br. 1-3 str. 182-192
DOI: 10.1016/S0022-3093(98)00718-2
WoS-ID: 000076724000019
Scopus-ID: 2-s2.0-0032475606
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/881630
Извор метаподатака: (Preuzeto iz ORCID-a) Ristić, Goran
М-категорија: 
21aM21a - Водећи међународни часопис категорије M21a

12
SCOPUSTM
13
WEB OF SCIENCETM
Алт метрика
Dimensions
Unpaywall

Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.