Резултати

еНаука >  Резултати >  Rebound effect in power VDMOSFETs due to latent interface-trap generation
Назив: Rebound effect in power VDMOSFETs due to latent interface-trap generation
Аутори: Jakšić, Aleksandar; Ristić, Goran  ; Pejović, Momčilo 
Година: 1995
Публикација: Electronics Letters
ISSN: 0013-5194 Electronics Letters Претражи идентификатор
Тип резултата: Научни чланак
Колација: vol. 31 br. 14 str. 1198-1198
DOI: 10.1049/el:19950818
Scopus-ID: 2-s2.0-0029637886
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/881644
Извор метаподатака: (Preuzeto iz ORCID-a) Ristić, Goran
М-категорија: 
Мп категорија ће бити приказана накнадно.

8
SCOPUSTM
Алт метрика
Dimensions

Пронађи DOI

Unpaywall

Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.