Rezultati

eNauka >  Rezultati >  Rebound effect in power VDMOSFETs due to latent interface-trap generation
Naziv: Rebound effect in power VDMOSFETs due to latent interface-trap generation
Autori: Jakšić, Aleksandar; Ristić, Goran  ; Pejović, Momčilo 
Godina: 1995
Publikacija: Electronics Letters
ISSN: 0013-5194 Electronics Letters Pretraži identifikator
Tip rezultata: Naučni članak
Kolacija: vol. 31 br. 14 str. 1198-1198
DOI: 10.1049/el:19950818
Scopus-ID: 2-s2.0-0029637886
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/881644
Izvor metapodataka: (Preuzeto iz ORCID-a) Ristić, Goran
M-kategorija: 
Mp kategorija će biti prikazana naknadno.

8
SCOPUSTM
Alt metrika
Dimensions
Unpaywall

Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.