Results

eNauka >  Rezultati >  Creation and passivation of interface traps in irradiated MOS transistors during annealing at different temperatures
Naziv: Creation and passivation of interface traps in irradiated MOS transistors during annealing at different temperatures
Autori: Pejović, Momčilo ; Ristić, Goran  
Godina: 1997
Publikacija: Solid-State Electronics
ISSN: 0038-1101 Solid-state Electronics Pretraži identifikator
Tip rezultata: Naučni članak
Kolacija: vol. 41 br. 5 str. 715-720
DOI: 10.1016/S0038-1101(96)00252-3
WoS-ID: A1997WZ80000009
Scopus-ID: 2-s2.0-0031140974
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/881648
Izvor metapodataka: (Preuzeto iz ORCID-a) Ristić, Goran
M-kategorija: 
22M22 - Međunarodni časopis kategorije M22

31
SCOPUSTM
32
WEB OF SCIENCETM
Altmetric
Dimensions
Unpaywall

Items in eNauka are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.