Results

еНаука >  Резултати >  Creation and passivation of interface traps in irradiated MOS transistors during annealing at different temperatures
Назив: Creation and passivation of interface traps in irradiated MOS transistors during annealing at different temperatures
Аутори: Pejović, Momčilo ; Ristić, Goran  
Година: 1997
Публикација: Solid-State Electronics
ISSN: 0038-1101 Solid-state Electronics Претражи идентификатор
Тип резултата: Научни чланак
Колација: vol. 41 br. 5 str. 715-720
DOI: 10.1016/S0038-1101(96)00252-3
WoS-ID: A1997WZ80000009
Scopus-ID: 2-s2.0-0031140974
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/881648
Извор метаподатака: (Preuzeto iz ORCID-a) Ristić, Goran
М-категорија: 
22M22 - Међународни часопис категорије M22

31
SCOPUSTM
32
WEB OF SCIENCETM
Altmetric
Dimensions
Unpaywall

Items in eNauka are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.