Резултати

еНаука >  Резултати >  Formation and passivation of interface traps in irradiated n-channel power VDMOSFETs during thermal annealing
Назив: Formation and passivation of interface traps in irradiated n-channel power VDMOSFETs during thermal annealing
Аутори: Pejović, Momčilo ; Ristić, Goran  ; Jakšić, Aleksandar
Година: 1997
Публикација: Applied Surface Science
ISSN: 0169-4332 Applied Surface Science Претражи идентификатор
Тип резултата: Научни чланак
Колација: vol. 108 br. 1 str. 141-148
DOI: 10.1016/S0169-4332(96)00573-9
WoS-ID: A1997WC30900019
Scopus-ID: 2-s2.0-0030737028
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/881650
Извор метаподатака: (Preuzeto iz ORCID-a) Ristić, Goran
М-категорија: 
22M22 - Рад у истакнутом међ. часопису

18
SCOPUSTM
20
WEB OF SCIENCETM
Алт метрика
Dimensions

Пронађи DOI
Unpaywall

Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.