Rezultati

eNauka >  Rezultati >  Formation and passivation of interface traps in irradiated n-channel power VDMOSFETs during thermal annealing
Naziv: Formation and passivation of interface traps in irradiated n-channel power VDMOSFETs during thermal annealing
Autori: Pejović, Momčilo ; Ristić, Goran  ; Jakšić, Aleksandar
Godina: 1997
Publikacija: Applied Surface Science
ISSN: 0169-4332 Applied Surface Science Pretraži identifikator
Tip rezultata: Naučni članak
Kolacija: vol. 108 br. 1 str. 141-148
DOI: 10.1016/S0169-4332(96)00573-9
WoS-ID: A1997WC30900019
Scopus-ID: 2-s2.0-0030737028
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/881650
Izvor metapodataka: (Preuzeto iz ORCID-a) Ristić, Goran
M-kategorija: 
22M22 - Međunarodni časopis kategorije M22

19
SCOPUSTM
21
WEB OF SCIENCETM
Alt metrika
Dimensions
Unpaywall

Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.