Резултати
eNauka >
Results >
P-channel metal-oxide-semiconductor dosimeter fading dependencies on gate bias and oxide thickness
| Title: | P-channel metal-oxide-semiconductor dosimeter fading dependencies on gate bias and oxide thickness | Authors: | Ristić, Goran |
Issue Date: | 1995 | Publication: | Applied Physics Letters | ISSN: | 0003-6951 Applied Physics Letters Search Idenfier |
Type: | Article | Collation: | vol. 66 br. 1 str. 88-89 | DOI: | 10.1063/1.114155 | Scopus-ID: | 2-s2.0-36449000838 | URI: | https://enauka.gov.rs/handle/123456789/881651 | Metadata source: | (Preuzeto iz ORCID-a) Ristić, Goran | M-category: | Mp. category will be shown later |
Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.