Rezultati
еНаука >
Резултати >
P-channel metal-oxide-semiconductor dosimeter fading dependencies on gate bias and oxide thickness
| Назив: | P-channel metal-oxide-semiconductor dosimeter fading dependencies on gate bias and oxide thickness | Аутори: | Ristić, Goran   ; Golubović, Snežana ; Pejović, Momčilo |
Година: | 1995 | Публикација: | Applied Physics Letters | ISSN: | 0003-6951 Applied Physics Letters Претражи идентификатор |
Тип резултата: | Научни чланак | Колација: | vol. 66 br. 1 str. 88-89 | DOI: | 10.1063/1.114155 | Scopus-ID: | 2-s2.0-36449000838 | URI: | https://enauka.gov.rs/handle/123456789/881651 | Извор метаподатака: | (Preuzeto iz ORCID-a) Ristić, Goran | М-категорија: | Мп категорија ће бити приказана накнадно. |
Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.