Rezultati

eNauka >  Rezultati >  P-channel metal-oxide-semiconductor dosimeter fading dependencies on gate bias and oxide thickness
Naziv: P-channel metal-oxide-semiconductor dosimeter fading dependencies on gate bias and oxide thickness
Autori: Ristić, Goran  ; Golubović, Snežana ; Pejović, Momčilo 
Godina: 1995
Publikacija: Applied Physics Letters
ISSN: 0003-6951 Applied Physics Letters Pretraži identifikator
Tip rezultata: Naučni članak
Kolacija: vol. 66 br. 1 str. 88-89
DOI: 10.1063/1.114155
Scopus-ID: 2-s2.0-36449000838
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/881651
Izvor metapodataka: (Preuzeto iz ORCID-a) Ristić, Goran
M-kategorija: 
Mp kategorija će biti prikazana naknadno.

27
SCOPUSTM
Alt metrika
Dimensions
Unpaywall

Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.