Резултати

eNauka >  Rezultati >  Latent interface-trap generation during thermal annealing of γ-ray irradiated power VDMOSFETs
Naziv: Latent interface-trap generation during thermal annealing of γ-ray irradiated power VDMOSFETs
Autori: Jakšić, Aleksandar; Ristić, Goran  ; Pejovic, Momčilo 
Godina: 1995
Publikacija: Proceedings of the International Semiconductor Conference, CAS
Tip rezultata: Konferencijski rad
Kolacija: str. 215-218
Scopus-ID: 2-s2.0-0029489789
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/881654
Izvor metapodataka: (Preuzeto iz ORCID-a) Ristić, Goran
M-kategorija: 
Mp kategorija će biti prikazana naknadno.

Пронађи DOI


Google ScholarTM

Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.