Резултати

еНаука >  Резултати >  Effect of radiation-induced oxide-trapped charge on mobility in p-channel MOSFETs
Назив: Effect of radiation-induced oxide-trapped charge on mobility in p-channel MOSFETs
Аутори: Stojadinović, Ninoslav ; Pejović, Momčilo ; Golubović, Snežana  ; Ristić, Goran  ; Davidović, Vojkan  ; Dimitrijev, Sima
Година: 1995
Публикација: Electronics Letters
ISSN: 0013-5194 Electronics Letters Претражи идентификатор
Тип резултата: Научни чланак
Колација: vol. 31 br. 6 str. 497-498
DOI: 10.1049/el:19950302
Scopus-ID: 2-s2.0-0029274848
URI: https://enauka.gov.rs/handle/123456789/881667
Извор метаподатака: (Preuzeto iz ORCID-a) Ristić, Goran
М-категорија: 
Мп категорија ће бити приказана накнадно.

7
SCOPUSTM
Алт метрика
Dimensions

Пронађи DOI

Unpaywall

Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.