Резултати
еНаука >
Резултати >
Effect of radiation-induced oxide-trapped charge on mobility in p-channel MOSFETs
Назив: | Effect of radiation-induced oxide-trapped charge on mobility in p-channel MOSFETs | Аутори: | Stojadinović, Ninoslav ; Pejović, Momčilo ; Golubović, Snežana ; Ristić, Goran ; Davidović, Vojkan ; Dimitrijev, Sima | Година: | 1995 | Публикација: | Electronics Letters | ISSN: | 0013-5194 Electronics Letters Претражи идентификатор | Тип резултата: | Научни чланак | Колација: | vol. 31 br. 6 str. 497-498 | DOI: | 10.1049/el:19950302 | Scopus-ID: | 2-s2.0-0029274848 | URI: | https://enauka.gov.rs/handle/123456789/881667 | Извор метаподатака: | (Preuzeto iz ORCID-a) Ristić, Goran | М-категорија: | Мп категорија ће бити приказана накнадно. |
7
SCOPUSTM
SCOPUSTM
Алт метрика
Dimensions
Unpaywall
Резултати на еНаука су заштићени ауторским правима и сва права су задржана, осим ако није другачије назначено.