Rezultati
eNauka >
Rezultati >
Effect of radiation-induced oxide-trapped charge on mobility in p-channel MOSFETs
| Naziv: | Effect of radiation-induced oxide-trapped charge on mobility in p-channel MOSFETs | Autori: | Stojadinović, Ninoslav  ; Pejović, Momčilo ; Golubović, Snežana ; Ristić, Goran  ; Davidović, Vojkan ; Dimitrijev, Sima |
Godina: | 1995 | Publikacija: | Electronics Letters | ISSN: | 0013-5194 Electronics Letters Pretraži identifikator |
Tip rezultata: | Naučni članak | Kolacija: | vol. 31 br. 6 str. 497-498 | DOI: | 10.1049/el:19950302 | Scopus-ID: | 2-s2.0-0029274848 | URI: | https://enauka.gov.rs/handle/123456789/881667 | Izvor metapodataka: | (Preuzeto iz ORCID-a) Ristić, Goran | M-kategorija: | Mp kategorija će biti prikazana naknadno. |
Rezultati na eNauka su zaštićeni autorskim pravima i sva prava su zadržana, osim ako nije drugačije naznačeno.